T7024-TRQY 时间：2025/7/25 15:53:02 阅读：8

T7024-TRQY 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的高性能、低功耗的射频（RF）功率晶体管，属于 N 沟道增强型功率 MOSFET 系列。该器件专为射频放大应用设计，常用于通信系统、工业射频加热、射频测试设备等场合。T7024-TRQY 采用了先进的 MOSFET 工艺技术，具备高增益、低失真和优异的热稳定性，能够在高频段（如 UHF 和 L 波段）提供稳定的功率输出。

参数

类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4 A
　　最大漏-源电压（VDS）：65 V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20 V
　　工作频率范围：DC 至 1 GHz
　　输出功率：典型值 24 W（在 900 MHz）
　　增益：典型值 18 dB
　　漏极效率：典型值 65%
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

T7024-TRQY 的核心特性之一是其出色的射频性能，能够在高达 1 GHz 的频率范围内保持稳定的增益和输出功率。其高增益特性（18 dB 典型值）使得在射频放大链中可以减少级数，从而简化电路设计并降低功耗。该器件的漏极效率高达 65%，有助于提高整体系统的能源利用率，降低散热需求。
　　此外，T7024-TRQY 具有良好的线性度和低失真特性，适合用于需要高保真信号放大的应用场景，如射频测试仪器和通信基站。其栅极驱动电压范围较宽（±20 V），便于与各种射频驱动电路兼容。同时，该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下稳定工作，确保长期运行的可靠性。
　　采用 TO-247 封装形式，T7024-TRQY 提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上以实现高效散热。其封装设计也使其易于集成到各种射频电路板中。

应用

T7024-TRQY 主要用于射频功率放大器的设计，广泛应用于无线通信系统、射频测试与测量设备、工业射频加热装置、射频能量传输系统以及医疗射频设备等领域。例如，在通信系统中，T7024-TRQY 可作为末级功率放大器使用，提供高效的射频输出；在射频测试设备中，它可作为信号发生器的放大模块，确保信号的高保真输出。
　　此外，该器件也适用于短波、超短波和微波频段的放大应用，特别是在需要中等功率输出（24 W 左右）的场合。由于其良好的线性度和低失真特性，T7024-TRQY 在要求高信号质量的数字通信系统中也表现出色，能够有效减少信号干扰和误码率。
　　在工业应用中，T7024-TRQY 可用于射频加热和等离子体生成设备的功率放大环节，提供稳定的高频能量输出。其高效率和良好的热稳定性使其在长时间运行中仍能保持较低的温升，确保设备的可靠性和寿命。