时间：2025/8/7 10:05:47
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T700063504BY是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛用于电源管理和开关电路中。该器件具备较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于多种功率电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约15mΩ
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
T700063504BY具备低导通电阻，有助于降低功率损耗，提高系统效率。其高电流承载能力使其适合用于高功率密度设计。此外，该器件具有快速开关特性，可减少开关损耗，提高整体系统性能。该MOSFET采用先进的封装技术，具备良好的热管理和散热性能，适用于严苛的工作环境。其耐用性和稳定性使其在汽车电子、工业电源、DC-DC转换器等领域广泛应用。
该器件主要用于电源转换器、电机驱动、电池管理系统、不间断电源（UPS）、逆变器以及汽车电子控制系统等。在汽车应用中，T700063504BY常用于车载充电器（OBC）和电动助力转向系统（EPS）等关键部件。
TK80E10K5 / STB10NK100Z / FDPF6030BL
