T60N02RG 时间：2025/5/28 17:07:16 阅读：5

T60N02RG 是一款 N 沣道通态场效应晶体管（MOSFET），属于 STMicroelectronics 的 Trench MOSFET 系列。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和开关应用。
　　这款 MOSFET 的额定电压为 200V，能够满足高压应用的需求，并且其封装形式为 TO-220FP，便于散热和安装。

参数

最大漏源电压：200V
　　连续漏电流：60A
　　导通电阻（典型值）：13mΩ
　　栅极电荷：50nC
　　开关速度：快速
　　功耗：72W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

T60N02RG 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高效率。
　　2. 快速开关能力，减少开关损耗，适合高频应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
　　4. 内置保护二极管，支持续流功能，适合电机驱动和逆变器等应用。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　6. 良好的热性能，确保在高温环境下稳定运行。

应用

T60N02RG 广泛应用于需要高效功率管理的场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. DC-DC 转换器
　　3. 电机驱动与控制
　　4. 太阳能逆变器
　　5. 电动车辆控制器
　　6. 工业自动化设备
　　由于其高电压和大电流承载能力，这款 MOSFET 特别适合于需要处理较高功率水平的应用场合。