T600061804BT 时间：2025/8/7 6:36:51 阅读：18

T600061804BT 是一款由 Vishay 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统中。这款 MOSFET 在设计上优化了导通电阻（Rds(on)）和开关性能，以满足高能效转换的需求。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

T600061804BT 具备多项优异的电气特性和设计优势，适用于高要求的功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件具有较高的最大漏极电流能力，能够支持大功率负载的需求。此外，其优化的栅极设计降低了开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的热管理能力，能够在高功率运行条件下保持稳定的工作温度。其耐高温特性也使其在恶劣的环境条件下仍能可靠工作。此外，T600061804BT 的栅源电压容限较高，能够在较宽的控制电压范围内稳定运行，适用于多种控制电路设计。

应用

T600061804BT 适用于多种电源管理和功率转换应用，包括但不限于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统。由于其高效率和低导通电阻特性，该器件特别适合用于需要高效能转换的便携式设备和电源模块。在汽车电子系统中，例如车载充电器和电池管理系统，T600061804BT 也能够提供可靠的功率控制解决方案。