T5744N-TK 时间：2025/7/26 5:06:33 阅读：5

T5744N-TK是一款由Toshiba（东芝）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和电机控制等领域。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高效率的电源转换系统。T5744N-TK采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性和高稳定性的工业应用场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：60A
　　最大漏源电压：60V
　　导通电阻：6.5mΩ（最大）
　　栅极电荷：45nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

T5744N-TK具有多项优良特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作条件下，器件的功率损耗较低，从而提高了整体系统的效率。其次，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提高了开关速度，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，T5744N-TK的TO-220封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率密度应用中的稳定性。该器件还具有较高的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，延长了设备的使用寿命。最后，T5744N-TK的高耐压特性使其能够在60V的工作电压下稳定运行，适用于多种电源管理和电机控制应用。

应用

T5744N-TK常用于各种电源管理和电机控制系统中，如DC-DC转换器、电源供应器、电机驱动器以及工业自动化设备。其高效率和高可靠性使其成为电动汽车充电系统、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和开关电源（SMPS）等高要求应用的理想选择。此外，该器件也适用于需要高电流和高效率的电动工具和家用电器控制电路。