类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为7.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

T5675D的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。在高电流应用中，低RDS(on)可以显著降低功率损耗和发热。
　　此外，该MOSFET具有高耐压特性，漏源电压最大可达30V，适用于多种低压电源管理系统。其高栅极电压耐受能力（±20V）也提高了器件在复杂电路环境中的可靠性。
　　T5675D采用了东芝的沟槽栅极技术，这使得它在开关过程中具有较高的速度和较低的开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该器件的封装为TO-252（DPAK），这是一种表面贴装封装，具有良好的热管理和焊接可靠性，适用于自动化生产和高密度PCB布局。
　　由于其良好的热稳定性，T5675D可以在高温环境下稳定工作，适合用于高功率密度设计中。

T5675D广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中，例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。在这些应用中，该器件的低导通电阻和高开关速度有助于提高系统效率并减少发热。
　　在工业自动化和电机控制领域，T5675D可用于驱动电机或作为高电流开关，其高电流处理能力和良好的热稳定性确保了设备在重载条件下的可靠运行。
　　此外，该MOSFET也常用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电控制开关。其高可靠性和宽工作温度范围使其适用于电动汽车、储能系统和便携式电子设备的电源管理模块。
　　在家用电器和消费类电子产品中，T5675D可用于电源适配器、充电器和LED照明驱动电路，提供高效、稳定的功率控制解决方案。

TKA100E30CP1, IPW90R120P7