T5630B 时间：2025/8/3 6:24:31 阅读：31

T5630B是一款常用的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电源管理和功率控制领域。该器件具有高耐压、大电流能力、低导通电阻以及良好的热稳定性等优点，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。T5630B采用TO-220或TO-263等封装形式，具备良好的散热性能，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：100A（在25℃）
　　导通电阻(RDS(on))：≤3.5mΩ（典型值）
　　功耗(PD)：160W
　　工作温度范围：-55℃～+175℃
　　封装形式：TO-220AB、TO-263（D2Pak）等

特性

T5630B具备出色的导通性能和开关特性，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件在高电流条件下仍能保持良好的稳定性和可靠性，适用于高功率密度设计。此外，T5630B具有较高的热耐受能力，能够在高温环境下正常工作，增强了系统的稳定性与安全性。其栅极设计支持快速开关操作，适用于高频开关应用。T5630B还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持器件安全。该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高功率应用中有效散热，延长使用寿命。

应用

T5630B常用于各种电源管理电路中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化控制系统等。其高电流能力和低导通电阻使其特别适用于高效率电源设计，如服务器电源、通信设备电源、电动车控制器和太阳能逆变器等。此外，在消费类电子产品中，如大功率LED驱动、智能家电的电源管理模块中也有广泛应用。