类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：12A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 15mΩ（当 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPak）

T5405 具有优异的导通性能和快速开关特性，使其适用于高效率电源系统设计。其导通电阻低至 15mΩ，可以显著减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件支持高达 12A 的连续漏极电流，适合中高功率应用。T5405 的栅极驱动电压范围较宽，通常可以在 4.5V 到 20V 之间工作，增强了其在不同驱动电路中的适应性。
　　该 MOSFET 采用 TO-252（也称为 DPak）封装，具有良好的散热性能，同时便于 PCB 布局和焊接。这种封装形式在功率器件中广泛使用，具有较强的机械稳定性和热稳定性。T5405 还具备良好的短路耐受能力，有助于在异常工作条件下保护电路。
　　另一个显著特点是其低栅极电荷（Qg），这有助于减少开关过程中的能量损耗，从而实现更高的开关频率和更紧凑的电源设计。对于需要高频率开关的 DC-DC 转换器或同步整流器应用，T5405 是一个理想的选择。

T5405 广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统。在同步整流器设计中，T5405 的低导通电阻特性可以显著提高转换效率，降低发热。在电池供电设备中，其高电流能力和低损耗特性有助于延长电池寿命。此外，在高功率密度的电源模块中，T5405 的高速开关性能和封装散热能力使其成为理想选择。

Si4410BDY, IRF7413, FDS4410A, TPS2R210