时间：2025/8/3 14:51:56
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T5130AP是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用，如电源转换器、马达控制和电池管理系统。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量，适用于需要高效率和高性能的电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
漏源击穿电压（VDS）：60V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
T5130AP的主要特性包括低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件具有高耐压能力，使其在高电压应用中具有良好的稳定性和可靠性。此外，T5130AP的高电流容量允许其在大功率负载下正常工作，适用于高电流输出的电源管理应用。其封装形式TO-220便于安装和散热设计，适合多种电路布局。
T5130AP还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，兼容多种驱动电路，便于系统集成和控制。
T5130AP广泛应用于各类电力电子设备中，如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其高效率和高可靠性的特点使其成为高性能电源设计中的理想选择。
T5130AP的替代型号包括IRFZ44N、Si4410DY、FDP6030L、TKA5130AP等具有类似电气特性的N沟道MOSFET器件。
