类型：双极型晶体管（BJT）阵列
　　集电极-发射极电压（Vce）：最大30V
　　集电极电流（Ic）：最大100mA
　　功率耗散：最大300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：16引脚DIP或SOP
　　晶体管数量：4对PNP/NPN晶体管

T4115D的最大集电极-发射极电压为30V，能够在中等电压环境下稳定工作。每个晶体管的最大集电极电流为100mA，适合用于中低功率的信号处理和开关控制。其总功率耗散为300mW，确保在多晶体管同时工作时不会因过热而失效。
　　该器件采用标准的16引脚DIP或SOP封装，便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接。其内部集成的4对晶体管可以独立使用，也可以组合成复合电路，如达林顿对管或推挽放大器结构，以提高电路设计的灵活性。
　　T4115D的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的温度适应性和热稳定性，能够在恶劣的工业环境中可靠运行。此外，该器件的增益（hFE）在典型工作条件下可达到100以上，确保良好的信号放大能力。

T4115D主要用于需要多个晶体管协同工作的电路设计中，例如驱动继电器、LED显示屏、步进电机控制器和逻辑电平转换器等。由于其集成度高、封装紧凑，T4115D常用于工业自动化设备、家用电器、智能仪表和嵌入式系统中。
　　在数字电路中，T4115D可用于构建逻辑门、驱动电路和缓冲器，提高系统的响应速度和稳定性。在模拟电路中，它可作为放大器、比较器和信号调节器使用，适用于传感器信号处理和音频放大应用。
　　此外，T4115D还可用于构建达林顿对管结构，以实现更高的电流增益，适用于需要高驱动能力的场合，如大功率LED驱动或直流电机控制。

ULN2003A, TIP122, TIP127