类型：半导体放电管（TSPD）
　　击穿电压（Vdrm）：600V（典型值）
　　维持电流（Ih）：≤ 10mA
　　峰值脉冲电流（Itsm）：100A（8/20μs波形）
　　关态电容：≤ 15pF
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：DO-204AC（轴向玻璃封装）
　　触发电压（Vbo）：≤ 770V（最大值，@ dV/dt = 100V/μs）
　　漏电流（Idrm）：≤ 5μA（在Vdrm下）
　　响应时间：nanoseconds级别（依赖于dV/dt）

T4-6T的核心特性在于其基于可控硅结构的过压保护机制，能够在正常工作状态下呈现极高阻抗，几乎不影响线路信号传输。当线路电压因雷击或电力线接触而上升并超过其断态重复峰值电压（Vdrm）且满足一定的dV/dt条件时，器件会迅速进入导通状态，形成低阻通路，将瞬态大电流导向地线，从而限制电压上升幅度。这种行为类似于一个电压触发的开关，一旦导通，将持续保持导通状态直到线路电流下降至低于其维持电流（Ih），这使得它特别适合交流线路应用，在每个半周期自然过零时自动复位。
　　T4-6T具备非常低的关态电容（通常小于15pF），因此在高频模拟信号路径中引入的信号失真极小，非常适合用于语音频带通信系统如传统电话线路保护。此外，其固态结构相比传统的气体放电管（GDT）具有更长的寿命、更快的响应速度以及无老化效应的优势。由于没有气密性要求，也不像GDT那样存在可能的漏气失效问题，整体可靠性更高。
　　该器件能够承受高达100A（8/20μs）的单次浪涌电流冲击，具备良好的能量吸收能力，常被用作二级或三级保护器件，配合气体放电管进行协同保护。例如，在多级保护架构中，前端使用GDT处理大部分能量，T4-6T则负责钳位残余电压，进一步降低对后端IC的威胁。同时，T4-6T的漏电流极低，在600V反向电压下不超过5μA，有助于减少待机功耗和热效应。
　　另一个显著优点是其无极性设计，允许在交流线路中双向工作，无需考虑安装方向，简化了电路布局与生产装配过程。T4-6T符合RoHS指令要求，采用环保材料制造，适用于工业级环境下的长期运行。尽管其导通后需要电流归零才能关断，可能存在“跟随电流”管理问题，但在正确匹配限流电阻和保险丝的情况下，可有效避免持续短路风险。

T4-6T广泛应用于各类需要对抗雷击感应和电力线串扰的通信接口保护场合。典型应用场景包括固定电话线路（POTS）的防雷保护，部署在用户终端设备（CPE）如电话机、ADSL调制解调器、路由器和传真机的输入端口处，防止来自外部线路的高压瞬变损坏内部集成电路。在中心局或远端终端设备中，T4-6T也常用于线路卡、配线架和耦合电路中作为关键保护元件。
　　此外，该器件适用于DSL（数字用户线路）宽带接入系统，特别是ADSL2+和VDSL2等高速数据传输线路，因其低电容特性不会显著衰减高频信号，保障了数据完整性。在工业控制系统中，T4-6T可用于保护RS-232、RS-485等串行通信端口免受静电放电（ESD）和电快速瞬变脉冲群（EFT）干扰。
　　在安防系统领域，如闭路电视（CCTV）摄像机的音频输入/输出通道、门禁系统的呼叫站线路，T4-6T也能提供有效的过压防护。医疗设备中连接外部传感器或远程通信模块的低速信号线路也可采用此类器件增强电磁兼容性（EMC）性能。总之，任何涉及暴露在外的低频模拟或数字信号线路，且面临雷击或电源故障风险的应用，都是T4-6T的适用范围。

B600C-6-T