T3031FZPHR 时间：2025/7/26 11:14:32 阅读：15

T3031FZPHR 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率应用设计。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于电源转换、电机控制和负载开关等场景。该器件采用小型表面贴装封装（SOP），适合自动化装配工艺，并具备良好的热管理和电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：12mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：17nC
　　功率耗散（Pd）：2.8W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

T3031FZPHR MOSFET 具备多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中最小的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件的高栅极电荷特性（Qg）使得开关过程中的能量损耗更低，适用于高频开关操作。此外，T3031FZPHR 采用了先进的沟槽式结构设计，提升了电流密度并优化了热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET的SOP-8封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热能力，适合在紧凑型电子设备中使用。其高耐压能力和高电流容量使其适用于多种电源管理应用，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。此外，T3031FZPHR 还具备优异的抗静电能力和良好的稳定性，能够在严苛的工业环境中可靠运行。

应用

T3031FZPHR MOSFET 广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高效功率控制的场合。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动电路以及高效率电源供应器。此外，该器件也适用于便携式电子产品中的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等。由于其出色的电气性能和可靠性，T3031FZPHR 还被广泛用于工业自动化设备、汽车电子系统和通信基础设施中的功率控制单元。