时间：2025/5/7 9:49:11
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T2N7002AK,LM 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种低功率应用场合。其小型封装设计使其非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：0.3A
脉冲漏极电流：1.2A
导通电阻：4.5Ω
栅极电荷：2.5nC
总功耗：380mW
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
T2N7002AK,LM 的主要特性包括：
1. 高开关速度，适合高频应用。
2. 极低的输入电容和输出电容，降低了开关损耗。
3. 较低的导通电阻确保了高效率运行。
4. 小型 SOT-23 封装，节省电路板空间。
5. 具有出色的热稳定性，可在较宽的温度范围内可靠工作。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该芯片广泛应用于多种低功率电子设备中，例如：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池供电设备的负载开关。
3. 便携式电子产品的保护电路。
4. 信号切换和逻辑电平转换。
5. 脉宽调制 (PWM) 控制电路。
6. 各种消费类电子产品中的保护和控制功能。
N7002, TPN7002L, FDN307P
