电容：22000pF
　　容差：±20%
　　额定电压：100V
　　温度特性：X7R（-55°C to +125°C, ΔC/C: ±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：1111（2828 公制）
　　长度：2.8mm
　　宽度：2.8mm
　　高度：2.5mm
　　介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）
　　产品系列：B7223
　　制造商：TDK Corporation (EPCOS)
　　包装规格：卷带包装（Tape & Reel）

T2K110B7223MB-T作为一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），其核心特性体现在卓越的电气稳定性与结构可靠性上。该器件采用X7R型陶瓷介质材料，属于II类电介质，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化不超过±15%，这使其在面对复杂热环境的应用中依然维持良好的性能一致性。相较于其他温度系数如Y5V或Z5U，X7R提供了更优的温度稳定性与电容密度之间的平衡，特别适合对长期稳定性有要求的设计场景。
　　该电容器的额定电压为100V，能够承受较高的直流偏置电压，在实际使用中即使在接近额定电压条件下仍能保持较稳定的电容输出。同时，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频信号路径中表现优异，可用于电源去耦、噪声滤波和瞬态响应补偿等关键功能。对于高速数字电路、DC-DC转换器输出滤波以及射频模块的旁路设计而言，这些高频特性至关重要。
　　从物理结构来看，T2K110B7223MB-T采用2828（1111英寸制）大尺寸封装，具备更强的抗应力开裂能力，有效降低了因PCB弯曲或热膨胀差异导致的陶瓷裂纹风险。其内部电极采用贵金属材料（如银钯合金）并结合优化的叠层工艺，提升了耐久性和循环寿命。此外，器件端头采用镍阻挡层加锡外镀层（Ni-Sn），不仅增强了可焊性，还有效防止了焊料迁移和“银离子迁移”现象，提高了长期使用的可靠性。
　　该型号符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊接工艺，兼容主流SMT生产线流程。其卷带包装形式便于自动化贴片作业，适用于大规模批量生产。整体而言，T2K110B7223MB-T在高温、高压及高振动环境下均表现出良好的稳定性，是工业控制、汽车电子、通信基础设施等领域中高可靠性电容需求的理想选择。

T2K110B7223MB-T广泛应用于多个高要求的电子系统领域。在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器的输入输出滤波，有效平滑电压波动并抑制高频噪声，提升电源效率与稳定性。在工业自动化设备中，该电容器被用于PLC控制器、电机驱动模块和传感器接口电路中，提供可靠的去耦和瞬态保护功能，确保系统在恶劣电磁环境中稳定运行。
　　在通信设备方面，该器件适用于基站射频模块、光模块和网络交换机中的旁路电容应用，利用其低ESR和低ESL特性快速响应电流突变，减少电压跌落和尖峰干扰。此外，在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、ADAS传感器单元和车身控制模块，T2K110B7223MB-T凭借其宽温特性和高可靠性，满足AEC-Q200等车规级认证要求，保障车辆电子系统的长期稳定运行。
　　在医疗电子设备中，该电容器可用于便携式监护仪、超声成像系统等对安全性和稳定性要求极高的场合，提供精准的信号耦合与滤波功能。同时，在测试测量仪器、服务器电源和LED照明驱动电路中，该型号也因其出色的耐压能力和温度稳定性而被广泛采用。总体而言，T2K110B7223MB-T适用于所有需要在高温、高压和高可靠性环境下工作的电子系统，是现代高端电子设计中不可或缺的基础元件之一。

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　　GRM32DR71H223NA120KD
　　CL31B223MBHNNNE