型号：T2K096CH100FP-F
　　制造商：Toshiba
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：128Gbit（16GB）
　　工艺节点：19nm 或 24nm（依据具体批次）
　　电压范围：2.7V ~ 3.6V（Vcc），1.7V ~ 1.95V（VccQ）
　　接口类型：Toggle Mode 2.0 或 ONFI 3.0
　　封装形式：BGA-48（6x8mm 或类似尺寸）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取延迟：典型值约 50μs
　　编程时间（页）：典型值 500μs
　　擦除时间（块）：典型值 2ms
　　耐久性：最高支持10,000次P/E循环
　　数据保持时间：常温下可达10年
　　I/O电压兼容性：1.8V/3.3V 双电压支持
　　页面大小：16KB + 896B（带备用区）
　　块大小：1024页/块
　　平面结构：四平面（Quad Plane）操作支持
　　传输速率：高达400MT/s（每引脚）
　　ECC要求：需外置或控制器集成ECC，建议最小16bit/1KB

T2K096CH100FP-F具备多项先进特性，使其在高密度存储应用中表现优异。首先，该芯片采用多层单元（MLC）技术，在保证较高存储密度的同时维持了良好的成本效益。相较于传统SLC方案，MLC虽然在耐久性和单次读写速度上略有降低，但通过优化的内部算法和控制器配合，仍可满足大多数消费类和工业级应用的需求。其次，该器件支持四平面（Quad Plane）架构，允许同时对四个独立的存储平面执行读、写或擦除操作，显著提升了并行处理能力和整体吞吐量，尤其适用于需要频繁大数据写入的应用场景。
　　在接口方面，T2K096CH100FP-F兼容Toggle Mode 2.0标准，提供异步高速数据传输能力，无需复杂的时钟同步电路即可实现高达400MT/s的传输速率，有效降低了系统设计复杂度并提高了信号完整性。此外，该芯片集成了多种可靠性增强机制，包括动态坏块管理、写入保护模式（如临时性锁定和永久性锁定）、以及强大的电源故障保护功能，防止在意外断电时发生数据损坏或元数据丢失。
　　功耗管理方面，T2K096CH100FP-F支持多种低功耗模式，例如待机模式、深度睡眠模式和自动休眠机制，能够根据实际使用情况动态调整功耗状态，延长电池供电设备的续航时间。其双电压I/O设计（1.8V/3.3V）增强了与不同主控平台的兼容性，便于在混合电压系统中灵活部署。此外，该芯片内置温度传感器与自适应编程算法，可根据环境温度调节编程脉冲宽度，提升高温或低温环境下的写入成功率与数据稳定性。

T2K096CH100FP-F因其高容量、高性能和高可靠性，被广泛应用于多个领域。在移动通信设备中，它常作为智能手机和平板电脑的主存储单元，用于存放操作系统、应用程序及用户数据，其快速读取能力和大容量支持高清视频播放、大型游戏加载等高带宽需求任务。在嵌入式系统中，该芯片可用于工业HMI（人机界面）、POS终端、医疗设备和智能仪表等场合，提供稳定的本地数据存储解决方案。
　　在消费类电子产品方面，T2K096CH100FP-F适用于数字电视、机顶盒、网络摄像头和智能家居中枢设备，支持频繁的数据记录与检索操作。对于固态存储设备，如便携式SSD和USB 3.0闪存盘，该芯片可通过多芯片封装或多颗粒并联方式构建更高容量的存储阵列，满足高速文件传输需求。
　　此外，在汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统（IVI）、行车记录仪和高级驾驶辅助系统（ADAS）模块中，存储地图数据、事件日志和传感器记录。其宽温工作范围和抗振动设计确保在恶劣车载环境下仍能稳定运行。最后，在物联网网关和边缘计算设备中，T2K096CH100FP-F可作为本地缓存或持久化存储介质，支持长时间无人值守运行，并具备远程固件更新能力，提升系统维护效率。

THGDV96CH100F8A
　　THGDV96CH100F8B
　　T2K096CH100F