T2633S 时间：2025/8/3 7:20:48 阅读：31

T2633S 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机控制和负载开关应用。该器件采用先进的沟槽式栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优良的热性能，适用于需要高可靠性和高效率的工业级电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：190A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为3.7mΩ（典型值为3.0mΩ）
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

T2633S MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，能够在保持低导通电阻的同时实现较高的开关速度，从而降低整体的功率损耗。其低Rds(on)特性显著减少了导通状态下的功率损耗，有助于提高系统效率并减少散热需求。该器件具备高电流处理能力，额定连续漏极电流高达190A，适用于高功率密度的设计。
　　该MOSFET的封装形式为TO-263（也称为D2PAK），是一种表面贴装封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于自动化生产和高可靠性应用场景。T2633S在极端温度条件下仍能保持稳定性能，其工作温度范围从-55°C到+175°C，适合工业和汽车电子等严苛环境使用。
　　此外，T2633S还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在过压或瞬态条件下提供更高的安全裕量。其栅极驱动电压范围宽广，通常在4.5V至20V之间，兼容多种驱动电路设计。这种灵活性使其在不同类型的电源拓扑结构中均能实现良好的性能表现。

应用

T2633S MOSFET广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、服务器电源、通信设备电源等，用于实现高效率的能量转换。
　　2. DC-DC转换器：例如在电动汽车、电池管理系统（BMS）和太阳能逆变器中，作为高效能的功率开关器件。
　　3. 电机驱动和控制：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动、工业自动化设备和机器人控制等高电流负载应用。
　　4. 负载开关：在需要快速开关高电流负载的场合，如电源管理模块、服务器主板和工业控制系统中。
　　5. 汽车电子：包括车载充电系统、启停系统和电动助力转向系统（EPS）等对可靠性和效率要求较高的汽车应用。