类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.23Ω
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220或TO-247

T2250S MOSFET具有多项突出的电气和物理特性，确保其在各种高功率应用场景中稳定运行。首先，它的高耐压能力（VDS高达900V）使其适用于高压电源和逆变器设计，能够承受较大的电压应力而不发生击穿。其次，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，采用的TO-220或TO-247封装有助于有效散热，延长器件使用寿命。
　　另外，T2250S具有较高的栅极阈值电压（VGS(th)），通常在2V至4V之间，这使得其在驱动时不易受到噪声干扰，提高了开关的稳定性。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，适用于高频操作环境。此外，该MOSFET具有良好的短路耐受能力，在短时间内能够承受较大的电流冲击而不会损坏，从而增强了系统的可靠性和安全性。

T2250S主要应用于需要高压和高功率处理能力的电子设备中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可作为主开关器件，用于提高电源转换效率并减少发热。在太阳能逆变器中，该MOSFET可用于DC-AC转换，提供高效、稳定的能量转换。此外，它也广泛应用于电机驱动器、UPS系统、电池充电器以及工业自动化控制系统中的功率开关模块。由于其良好的热管理和高频响应特性，T2250S还适用于需要快速开关和高效率的高频功率转换器设计。

IRF840, FQA30N90, STF9NK90Z