类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A（Tc=25℃）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 4.5mΩ（典型值约 3.8mΩ）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-220、TO-263

T2233NS MOSFET 具备多项优异性能，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流工作状态下，功率损耗显著降低，提高了系统效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力，支持高达 120A 的连续漏极电流，适合大功率应用场景。此外，T2233NS 采用先进的封装技术，具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定工作。
　　T2233NS 的栅极驱动电压范围宽，支持常见的 10V 和 4.5V 驱动电压，兼容多种驱动电路设计。其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。该器件还具备良好的抗雪崩能力，提高了在高能脉冲条件下的可靠性与稳定性。
　　在制造工艺方面，T2233NS 采用高密度沟道设计和低热阻封装，使其在高负载条件下依然保持良好的性能。同时，该器件具有良好的抗静电能力（ESD），增强了在复杂电磁环境中的可靠性。

T2233NS 广泛应用于多种电力电子系统中，主要包括：DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源开关控制、负载开关、工业自动化设备、电动工具、电动车辆（如电动车控制器）以及高功率 LED 驱动器等。由于其低导通电阻和高电流能力，T2233NS 在高效率电源转换系统中表现出色，尤其适用于需要频繁开关操作和高负载能力的场合。此外，该器件也常用于 UPS（不间断电源）、逆变器和太阳能逆变系统中，作为主开关或同步整流元件。

IRF1405、SiR142DP、IPW90R030C3、TPH5R903CJ