T2233D 是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性,适合在高效率电源、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用中使用。T2233D采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能,适用于中高功率应用场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):120A
脉冲漏极电流(IDM):480A
导通电阻(RDS(on)):约1.7mΩ(典型值)
功耗(PD):150W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-220
T2233D MOSFET具备多项优异特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其漏源电压为30V,适用于多种低压功率转换应用,例如电池供电设备和低压DC-DC转换器。其次,该器件的连续漏极电流可达120A,具有强大的电流承载能力,适合高功率需求的电路设计。
导通电阻RDS(on)的典型值为1.7mΩ,这一低电阻特性可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,T2233D在高电流下仍能保持较低的温升,确保长期运行的稳定性和可靠性。其TO-220封装形式具有良好的散热性能,有助于将热量快速散发到环境中,从而提升整体系统的热管理能力。
该MOSFET的栅源电压为±20V,支持广泛的驱动电压范围,兼容多种栅极驱动电路。同时,T2233D具备较强的脉冲电流承受能力,最大脉冲漏极电流可达480A,可在瞬态负载条件下提供稳定的性能。器件的工作温度范围为-55°C至+175°C,适应性广泛,适合在各种工业和车载环境中使用。
T2233D广泛应用于多个领域,包括但不限于以下场景:高效率电源模块、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统(BMS)、太阳能逆变器、工业自动化设备以及车载电子系统等。在这些应用中,T2233D的高电流能力和低导通电阻特性能够有效提高系统的能效,同时减少功率损耗和发热问题。
在电源管理方面,T2233D可用于构建高效的同步整流器或负载开关,以优化电源分配和管理。在马达驱动器设计中,它能够承受较大的瞬态电流,提供稳定的驱动性能。此外,由于其优异的导热性能和可靠性,T2233D也常用于车载电子系统,如车载充电器(OBC)和电池管理系统中,确保在高温和高振动环境下依然保持稳定运行。
SiS120N10NQ、IRF120N10D、IPW90N10S4-07、FDP120N10