类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：180A
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.75mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220

T2230S具有多项优良的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高系统效率并减少发热。其次，该器件具备高电流承载能力，连续漏极电流可达180A，适用于需要大电流驱动的场合，如马达控制和电源转换。此外，T2230S具有较高的耐压能力，漏源电压额定值为30V，能够在较宽的电压范围内稳定工作。栅源电压容限为±20V，使其在栅极驱动电路设计上更加灵活可靠。
　　在封装方面，T2230S采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合在高功率密度环境中使用。该封装形式也便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力。此外，T2230S具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。其内部结构优化了开关损耗，从而提高了整体能效。
　　在可靠性方面，T2230S具有良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能。它广泛应用于各种电源管理系统，如电池管理系统、电动工具、电动车控制器以及工业自动化设备。该器件的高性能和高可靠性使其成为许多高功率应用中的首选MOSFET。

T2230S主要应用于高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、电动车控制器、工业自动化设备、电动工具、UPS不间断电源以及各类高电流负载控制电路。由于其低导通电阻和高电流能力，T2230S特别适合用于需要高效能和高可靠性的场合。

T2230S的替代型号包括T2235、T2240、T2244、T2250、T2255、T2260、T2270等，具体选择应根据电路需求和系统参数进行匹配。