T2230D 时间：2025/8/3 9:58:27 阅读：16

T2230D是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率应用设计。这种晶体管具有高电流承载能力和低导通电阻，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载管理等应用。T2230D采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合在高功率密度环境中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约5.3mΩ（典型值，具体取决于VGS）
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

T2230D的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的热性能。由于其RDS(on)较低，该MOSFET在导通状态下的功率损耗较小，从而提高了整体系统效率。
　　此外，T2230D的封装设计有助于有效散热，延长了器件的使用寿命，并在高负载条件下提供稳定的性能。该器件还具有快速开关特性，适用于高频应用，如开关电源和DC-DC转换器。
　　其高栅极绝缘性能确保了长期可靠性，同时允许较高的栅极驱动电压，从而提高了控制精度。T2230D适用于需要高效能和高可靠性的电子系统，特别是在大电流和高功率环境下。

应用

T2230D广泛应用于各种高功率电子设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统。它也常用于工业自动化设备、电动工具和高功率LED照明驱动电路。
　　此外，该MOSFET还可用于电源管理模块、汽车电子系统和储能系统，例如在逆变器或充电控制器中控制大电流流动。由于其良好的热性能和高电流承载能力，T2230D非常适合用于紧凑型高功率密度设计。