时间：2025/3/27 11:08:36
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T201LTAVRE 是一款由 Toshiba（东芝）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件主要用于开关和功率管理应用，能够提供高效的电流控制和较低的导通电阻特性。其设计适合用于高频率和高性能的电路中，广泛应用于消费电子、工业设备和汽车电子等领域。
T201LTAVRE 的封装形式为 TO-263 (DPAK)，具备良好的散热性能和耐用性，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：15A
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：180W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场景。
3. 高额定电流和电压，可应对多种复杂负载需求。
4. 强大的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. 表面贴装封装，易于集成到紧凑型设计中。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. DC-DC 转换器和电压调节电路。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理单元。
6. 消费类电子产品中的高效电源解决方案。
T201GTAVRE, IRF540N, FDP5510
