类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：30A
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：125W

T1530P/D MOSFET具有低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统的效率。该器件支持高漏极电流，适合需要大电流负载的应用场景。此外，它具备较高的热稳定性，能够在极端温度条件下正常运行。栅极电荷（Qg）较低，使得开关速度更快，从而进一步减少开关损耗。
　　该MOSFET还具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在过压或短路情况下提供一定的保护作用。其TO-220封装形式便于散热设计，适合用于需要高功率密度的设计。T1530P/D的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间均可正常工作，使得其兼容性强，能够适配多种驱动电路。
　　器件的封装设计也优化了PCB布局，减少寄生电感的影响，从而提升高频开关性能。此外，T1530P/D的制造工艺确保了其一致性和可靠性，适用于要求高稳定性的工业环境。

T1530P/D MOSFET常用于各种电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。它也适用于电池供电设备中的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。在电机控制应用中，T1530P/D可以作为高效的开关元件，用于控制电机的速度和方向。
　　此外，该器件适用于工业自动化设备中的电源开关和负载管理，例如PLC（可编程逻辑控制器）和工业机器人。T1530P/D还可用于LED照明系统中的恒流驱动电路，确保光源的稳定性和寿命。
　　在汽车电子领域，T1530P/D可被用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块（BCM）等应用。其高可靠性和耐久性使其成为汽车环境中理想的功率开关元件。

IRF150, FDP15N50, STP15NK50Z