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T1530N 发布时间 时间:2025/8/2 15:43:04 查看 阅读:42

T1530N是一款常见的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种高功率开关电路中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压、高电流能力以及良好的热稳定性等优点,适用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理和开关电源等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):150V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):30A(连续)
  导通电阻(Rds(on)):约0.04Ω(典型值)
  功耗(Ptot):80W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

T1530N具有优异的导通性能和开关性能,能够在高频率下稳定工作。其低Rds(on)特性有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,该MOSFET具备良好的热管理能力,能够有效散热,确保在高负载条件下的稳定性与可靠性。封装形式通常为TO-220或TO-262,便于安装和散热设计。T1530N还具有较高的抗雪崩能力,能够在瞬态电压冲击下保持正常工作,适用于各种严苛的工作环境。

应用

T1530N常用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关应用。其高性能和可靠性也使其适用于汽车电子系统、LED照明驱动以及太阳能逆变器等高要求的电子系统中。

替代型号

IRF150、FDP1530、SiHF1530、STP15NF15、IXTP15N150

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