时间：2025/8/2 15:43:04
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T1530N是一款常见的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种高功率开关电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压、高电流能力以及良好的热稳定性等优点，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理和开关电源等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：150V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：30A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约0.04Ω（典型值）
功耗（Ptot）：80W
工作温度范围：-55°C至175°C
T1530N具有优异的导通性能和开关性能，能够在高频率下稳定工作。其低Rds(on)特性有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET具备良好的热管理能力，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定性与可靠性。封装形式通常为TO-220或TO-262，便于安装和散热设计。T1530N还具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持正常工作，适用于各种严苛的工作环境。
T1530N常用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关应用。其高性能和可靠性也使其适用于汽车电子系统、LED照明驱动以及太阳能逆变器等高要求的电子系统中。
IRF150、FDP1530、SiHF1530、STP15NF15、IXTP15N150
