T130805N 时间：2025/9/9 23:26:25 阅读：22

T130805N 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式（Trench）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等场景。T130805N 通常采用TO-220或类似的大功率封装形式，确保在高功率操作下的稳定性和散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：30V
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

T130805N MOSFET具有多个显著的性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为5.5mΩ，在10V栅极电压下工作时，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。这使得该器件非常适合用于高电流应用，如大功率DC-DC转换器和电机驱动电路。
　　其次，该器件的最大漏极电压为30V，最大连续漏极电流可达120A，具备良好的高电流承载能力，适合用于高功率密度设计。此外，该MOSFET支持±20V的栅极电压，使其在不同的栅极驱动条件下都能保持稳定工作，增强了设计的灵活性。
　　该器件采用TO-220封装，具备良好的热管理和散热性能，适用于高功率和高温环境下的长期稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适应广泛的工作环境，包括汽车电子和工业控制等严苛应用。
　　另外，T130805N采用了东芝先进的沟槽式MOSFET技术，提升了芯片的性能密度，减少了开关损耗，同时提高了器件的可靠性。该技术也有助于提升器件在高频开关应用中的表现，使其适用于开关电源（SMPS）、同步整流和负载开关等场合。

应用

T130805N MOSFET因其高性能参数和可靠特性，被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于高效率的DC-DC转换器和同步整流器，提升能源转换效率并降低发热。在汽车电子中，该器件适用于电池管理系统、车载充电器和电动助力转向系统等高可靠性要求的应用。
　　此外，T130805N也适用于工业自动化控制系统，如伺服电机驱动器和PLC（可编程逻辑控制器）中的功率开关模块。其高电流承载能力和优异的热性能，使其在长时间高负载运行环境下依然保持稳定。
　　在消费类电子产品中，该MOSFET也可用于高性能笔记本电脑电源适配器、游戏主机电源模块以及高功率移动电源设计中。其紧凑的封装形式也有助于实现设备的小型化和轻量化。