时间：2025/6/25 16:36:12
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T12N10G是一款基于MOSFET技术的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，广泛应用于各种电力电子设备中。T12N10G采用TO-220封装形式，适合于需要高效能和高可靠性的应用场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.08Ω
栅极电荷：35nC
总功耗：125W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
T12N10G具备优异的电气性能和耐用性，主要特点如下：
1. 高效率：低导通电阻设计可以显著降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关能力：较小的栅极电荷使其拥有更快的开关速度，适用于高频应用环境。
3. 热性能优越：采用高效的散热封装，能够承受较高的结温，确保长时间稳定运行。
4. 可靠性强：通过了严格的工业级可靠性测试，适合在恶劣环境下使用。
5. 封装形式：标准TO-220封装，便于安装和维护。
T12N10G主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 直流电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统中的关键功率处理单元。
5. 各种消费类电子产品中的高效功率转换模块。
IRFZ44N
STP12NK50Z
FDP15U20A
AO12N10
