T12N10 是一种 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于开关和功率放大应用。该器件具有低导通电阻和快速开关速度,适用于需要高效能转换的电路设计。T12N10 在各种工业和消费电子领域中被广泛应用,例如电源管理、电机驱动、负载切换等场景。
最大漏源电压:100V
最大漏极电流:12A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:35nC
功耗:144W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
T12N10 具有以下主要特性:
1. 高击穿电压:能够承受高达 100V 的漏源电压,适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻:仅为 0.18Ω,可显著减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关性能:其栅极电荷较低(35nC),使得开关时间更短,有助于提高效率并降低电磁干扰。
4. 高可靠性:经过严格的制造工艺控制,能够在极端温度范围内稳定运行。
5. 小型封装选项:通常提供行业标准封装形式,便于 PCB 布局和安装。
T12N10 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):用于 DC/DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。
3. 电池保护:在锂离子电池组中作为过充过放保护的开关元件。
4. 固态继电器:替代传统机械继电器,实现无触点开关功能。
5. 负载切换:用于汽车电子系统中的负载切换控制。
IRFZ44N
STP12NF06
FQP17N10