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T12N10 发布时间 时间:2025/6/4 0:28:39 查看 阅读:6

T12N10 是一种 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于开关和功率放大应用。该器件具有低导通电阻和快速开关速度,适用于需要高效能转换的电路设计。T12N10 在各种工业和消费电子领域中被广泛应用,例如电源管理、电机驱动、负载切换等场景。

参数

最大漏源电压:100V
  最大漏极电流:12A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:35nC
  功耗:144W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

T12N10 具有以下主要特性:
  1. 高击穿电压:能够承受高达 100V 的漏源电压,适用于多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻:仅为 0.18Ω,可显著减少导通状态下的功率损耗。
  3. 快速开关性能:其栅极电荷较低(35nC),使得开关时间更短,有助于提高效率并降低电磁干扰。
  4. 高可靠性:经过严格的制造工艺控制,能够在极端温度范围内稳定运行。
  5. 小型封装选项:通常提供行业标准封装形式,便于 PCB 布局和安装。

应用

T12N10 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):用于 DC/DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。
  3. 电池保护:在锂离子电池组中作为过充过放保护的开关元件。
  4. 固态继电器:替代传统机械继电器,实现无触点开关功能。
  5. 负载切换:用于汽车电子系统中的负载切换控制。

替代型号

IRFZ44N
  STP12NF06
  FQP17N10

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