时间:2025/12/28 20:39:46
阅读:11
T10B180E 是一款由东芝(Toshiba)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率器件,适用于高功率和高频开关应用。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,具有较高的效率和可靠性。T10B180E 主要用于工业电机驱动、变频器、电源转换系统以及电动汽车(EV)充电设备等应用场景。
类型:IGBT
最大集电极-发射极电压(VCES):1800V
最大集电极电流(IC):20A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
短路耐受能力:有
栅极阈值电压(VGE(th)):约5.5V
导通压降(VCE_sat):约2.1V(在IC=20A时)
输入电容(Cies):约1500pF
输出电容(Coes):约300pF
反向恢复时间(trr):约1.2μs
T10B180E IGBT 具有良好的导通和开关特性,适用于中高功率应用。其主要特性包括高耐压能力(1800V VCES),可有效应对高电压应力环境;最大集电极电流为20A,适用于多种功率转换电路。该器件采用TO-247封装,具有良好的散热性能和机械稳定性。
此外,T10B180E 具有较低的导通压降(VCE_sat),通常在2.1V左右,有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。其栅极阈值电压约为5.5V,适合常见的驱动电路设计,确保稳定可靠的工作状态。
该IGBT 还具备一定的短路耐受能力,在异常工作条件下提供额外的安全保障。其输入和输出电容分别为约1500pF和300pF,使得在高频开关应用中能够实现较快的开关速度。反向恢复时间约为1.2μs,适用于大多数中频功率转换应用。
总体而言,T10B180E 是一款性能稳定、适用范围广泛的IGBT器件,适用于工业电源、电机控制、不间断电源(UPS)、感应加热以及新能源汽车充电设备等多种应用场景。
T10B180E 主要应用于需要高电压和中等电流能力的功率电子系统中。常见应用包括:工业变频器中的逆变器模块,用于交流电机的调速控制;开关电源(SMPS)中的主开关器件,特别是在高电压输入条件下;不间断电源(UPS)系统,用于实现高效能的电能转换;感应加热设备,如电磁炉或工业加热装置;新能源汽车(如电动汽车或电动巴士)的车载充电系统和能量管理系统;太阳能逆变器和储能系统中的功率开关器件。
此外,T10B180E 也可用于家电控制、电焊机、马达驱动等中高功率场合,提供高可靠性和高效能的功率转换解决方案。
T10B180E 可以使用以下型号作为替代:SKM20GB180D(Semikron)、FGA25N180D(ON Semiconductor)、STGF20NC180D(STMicroelectronics)等。这些型号在电气参数和封装形式上与 T10B180E 具有较高兼容性,适用于类似的高电压IGBT应用场合。