类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极-源极电压（Vds）：100V
　　最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-247

T10B140 MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅芯片设计，实现了极低的导通电阻，从而显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的高耐压能力（100V）使其适用于多种DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及电源管理模块等应用。此外，T10B140具备优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作，延长器件的使用寿命。
　　T10B140的封装采用TO-247标准封装，具有良好的散热性能，便于在高功率应用中进行安装和散热设计。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），适用于多种驱动电路设计，同时具有较强的抗干扰能力。该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，能够在极端工作条件下提供可靠的保护。
　　此外，T10B140的设计还考虑了电磁干扰（EMI）控制，有助于减少高频开关过程中产生的噪声，提高系统的稳定性。其快速开关特性也使其适用于高频率开关应用，如同步整流、负载开关和高频逆变器等。

T10B140广泛应用于各种高性能电源管理系统，如服务器电源、电信电源、工业电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器以及功率因数校正（PFC）电路等。其高效率和高可靠性的特点使其成为高功率密度电源设计的理想选择。此外，该器件也可用于电动车充电系统、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）系统等高要求的应用场景。

STL10N140L, IRF140, FDP10N140