时间：2025/7/25 17:29:11
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T0930-TJT是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式栅极技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。T0930-TJT采用小型表面贴装封装，适合现代电子设备对高效率和小尺寸的需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
漏极电流（ID）：60A（最大值）
导通电阻（RDS(on)）：约4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：SOP（表面贴装封装）
T0930-TJT MOSFET采用了东芝先进的沟槽式栅极结构，显著降低了导通电阻，提高了器件的导电效率。该特性使其在高电流应用中表现出更低的功率损耗和更优异的热性能。
该器件具有较高的栅极耐压能力，栅源电压可达20V，使其在各种驱动条件下具备良好的稳定性。此外，T0930-TJT具有快速开关能力，降低了开关损耗，适用于高频操作环境。
在热管理方面，T0930-TJT的封装设计优化了散热性能，能够在高功率密度条件下保持较低的温升，提高系统的可靠性。此外，该MOSFET具备良好的短路耐受能力，增强了在严苛工作环境下的稳定性。
其小型表面贴装封装不仅节省空间，还便于自动化生产，适用于现代电子制造流程。该器件的高可靠性和优异性能使其成为多种高功率应用的理想选择。
T0930-TJT广泛应用于多种高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。其优异的导电性能和高频响应能力也使其适合用于电源管理单元（PMU）及高效率电源供应器设计。
SiR3460DP, IRLU3710, FDP6030L
