SI2374DS 时间：2025/6/16 22:18:19 阅读：3

Si2374DS 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻和高效率的特点，非常适合用于各种开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用。其封装形式为 DS (Dual-tab SO-8)，具备出色的散热性能和较低的寄生电感。该器件的最大额定电压为 30V，适合中低压应用场景。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：16A
　　导通电阻（典型值）：3.5mΩ
　　栅极电荷（典型值）：12nC
　　总电容（输入电容）：1150pF
　　功耗：19W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

Si2374DS 提供了卓越的电气性能，其主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高速开关能力，得益于较小的栅极电荷和输出电容，适用于高频开关应用。
　　3. 封装中的双焊盘设计，可实现更低的热阻和寄生电感，从而提升散热性能和可靠性。
　　4. 工作温度范围宽广，能够适应极端环境条件。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
　　此外，Si2374DS 的设计充分考虑了 EMI 和 EMC 要求，确保在复杂电磁环境下稳定运行。

应用

Si2374DS 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
　　2. 各种 DC-DC 转换器，如降压、升压或反激式转换器。
　　3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
　　4. 电机驱动和控制，例如步进电机或无刷直流电机的应用。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 通信设备中的高效功率转换解决方案。
　　7. 汽车电子中的负载切换和逆变器应用。