时间：2025/7/8 23:04:39
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Si2367DS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和出色的开关性能，适用于高频和高效能要求的应用场景。
Si2367DS 的封装形式为 DS 封装（DPAK），支持高达 60V 的工作电压，同时在多种电流条件下提供较低的导通损耗。其主要应用领域包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：15A
导通电阻 (Rds(on)) @ Vgs=10V：4.5mΩ
导通电阻 (Rds(on)) @ Vgs=4.5V：8mΩ
栅极电荷 (Qg)：39nC
总电容 (Ciss)：2290pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高雪崩能力，增强了器件的鲁棒性以应对异常条件下的过流或过压情况。
3. 采用 Vishay TrenchFET 第三代技术，提升了功率密度与散热性能。
4. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
5. 工作温度范围广，适应各种恶劣环境。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关应用。
2. 便携式电子设备中的负载开关。
3. 电机控制和驱动电路中的功率级元件。
4. 工业自动化系统中的高频功率转换模块。
5. 多种电池管理系统中的保护和切换功能。
Si2306DS, Si2310DS, IRF3707Z, FDP5580
