时间：2025/5/29 17:28:50
阅读：9
Si2366DS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特性，非常适合用于电源管理、电机驱动以及开关模式电源等应用。
Si2366DS 使用了 Vishay 的 SiHF 系列技术，优化了其在高频和高效能应用中的表现。该器件通常封装为 SO-8 小外形表面贴装形式，便于集成到紧凑型设计中。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：9nC（典型值）
总功耗：1.7W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
4. 支持宽范围的工作温度，适用于各种恶劣环境。
5. 提供卓越的热稳定性和可靠性。
6. 小型化封装设计，节省电路板空间。
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. 直流-直流转换器和降压/升压转换器。
3. 电池供电设备的负载开关。
4. 工业控制系统的电机驱动。
5. 消费类电子产品中的功率管理模块。
6. LED 照明驱动器。
Si2304DS, IRF530, FQP16N06
