类型：齐纳二极管
　　极性：单齐纳
　　封装形式：SMB（DO-214AA）
　　标称齐纳电压：6.8 V
　　电压容差：±5%
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：35 Ω
　　测试电流（IZT）：5 mA
　　最大反向漏电流（IR）：5 μA
　　最大功率耗散：1 W
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　引脚数：2
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　峰值脉冲功率（PPPM）：600 W
　　制造商：onsemi（安森美）
　　产品系列：SZP6SMBxxxT3G
　　湿度敏感等级（MSL）：1（260 °C）
　　无铅状态：无铅 / RoHS合规

SZP6SMB6.8AT3G的电气特性表现出色，具备低动态阻抗和稳定的电压调节能力，这使其在电压参考和稳压应用中表现优异。其标称齐纳电压为6.8V，在5mA的测试电流下能够维持良好的电压精度，且电压偏差控制在±5%以内，确保系统设计中的可预测性和可靠性。该器件的低反向漏电流（典型值低于5μA）意味着在正常工作条件下功耗极低，有助于提升整体能效，特别适用于电池供电或待机功耗敏感的系统。齐纳阻抗仅为35Ω，表明其对负载变化的响应速度快，输出电压波动小，增强了系统的稳定性。
　　在热性能方面，该器件采用SMB封装，具有较大的焊盘面积以利于散热，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作，适应严苛的工业环境。其1W的连续功率耗散能力和高达600W的峰值脉冲功率承受能力，使其能够有效应对浪涌、ESD和瞬态过压事件，常被用作初级保护元件配合TVS二极管或其他保护器件协同工作。此外，该器件通过AEC-Q101车规级认证的可能性较高（需查具体数据手册确认），可用于汽车电子中的电源轨保护。
　　从制造角度看，SZP6SMB6.8AT3G支持回流焊接工艺，MSL等级为1级，无需特殊存储条件，极大简化了SMT生产流程。其无铅、无卤素的设计符合国际环保法规，适用于出口型产品和高可靠性应用场景。器件本体上通常有标记代码，便于识别和追溯。总体而言，该齐纳二极管以其高可靠性、优良的电气性能和成熟的封装技术，在众多模拟和混合信号电路中发挥着关键作用。

SZP6SMB6.8AT3G主要应用于需要稳定参考电压或过压保护的电子电路中。在电源管理系统中，它常被用作低压直流稳压器的反馈基准源，例如在开关电源（SMPS）或线性稳压器中提供精确的分压参考点，以维持输出电压稳定。由于其6.8V的齐纳电压接近常见的逻辑电平转换阈值，因此也广泛用于电平移位电路和电压箝位网络中，防止信号线电压超出IC输入耐受范围。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器接口电路和数据采集系统的前端保护，抑制因感应负载切换或雷击感应引起的瞬态电压尖峰。在通信设备中，如路由器、交换机和光模块，它可以作为ESD防护的一部分，集成在高速信号路径旁，吸收静电放电能量，保护敏感的通信芯片。
　　此外，SZP6SMB6.8AT3G还常见于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和智能家居设备的电源轨保护设计中，尤其是在USB接口、充电管理单元和LCD背光驱动电路中起到电压钳位作用。在汽车电子中，尽管主电源可能更高，但其仍可用于12V系统中的辅助电源监控或CAN总线节点的电压保护。由于其响应速度快、体积小、可靠性高，也可作为模拟电路中的偏置电压源或用于温度补偿电路设计。总之，该器件凭借其通用性和稳健性能，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

P6SMB-6.8A-S703
　　BZT52C6V8-E3-08
　　MMBZ5239BLT1G
　　1N5239BTR
　　SOD80C-6.8A