类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V（最大值）
　　连续漏极电流（ID）：60A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：4.2mΩ（最大值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：110W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8双片封装
　　安装类型：表面贴装

SZP3026ZSR采用先进的TrenchFET技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其4.2mΩ的最大导通电阻（在VGS=10V时）使得该MOSFET在高电流应用中表现出色，能够有效降低功耗并减少发热。此外，该器件具有高达60A的连续漏极电流能力，适用于需要高电流处理能力的电源系统。
　　SZP3026ZSR的PowerPAK SO-8双片封装设计不仅提供了优异的热管理性能，还使得器件在PCB上的安装更加稳固，提升了整体系统的可靠性。该封装形式也有助于提高功率密度，使设计更加紧凑。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，适用于各种严苛环境下的应用。此外，其20V的栅源电压（VGS）耐受能力提供了更大的设计灵活性，并降低了栅极驱动电路的设计复杂度。

SZP3026ZSR广泛应用于多种高性能电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达控制器和电池管理系统。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为服务器电源、电信设备、工业自动化和便携式电子设备中理想的功率开关器件。此外，该MOSFET也适用于汽车电子系统，如车载充电器和电机控制系统，能够在高温度环境下稳定运行。

SiR340DP-T1-GE3, FDMC86220AS, IRF6604TRPBF