SZNUP2105LT3G是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,适用于高频率、高效率的电源应用。该器件采用了先进的封装技术,具有出色的散热性能和低寄生电感特性,能够显著提升系统的整体效率和功率密度。
这款芯片特别适合用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)、充电器以及其他需要高性能功率处理的应用场景。
型号:SZNUP2105LT3G
工作电压范围:4.5V 至 20V
输出电流:高达 5A
开关频率:高达 2MHz
导通电阻(Rds(on)):16mΩ(典型值)
栅极驱动电压:5V/8V
封装形式:LLLP3x3
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
SZNUP2105LT3G具备以下关键特性:
1. 氮化镓技术带来的高频性能,允许更小的磁性元件设计,从而提高功率密度。
2. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输,并降低了功耗。
3. 高速开关能力支持高频操作,减少外围元件的尺寸和成本。
4. 内置保护功能,包括过温保护、过流保护以及短路保护,确保系统运行安全可靠。
5. 紧凑型封装设计,简化了PCB布局并增强了散热性能。
SZNUP2105LT3G广泛应用于多种领域:
1. USB-PD快速充电器
2. 小型化适配器和充电器
3. 工业级DC-DC转换器
4. 电信和网络设备中的电源模块
5. 笔记本电脑和其他便携式电子设备的供电解决方案
6. 汽车电子中的辅助电源模块
SZNUP2106LT3G, SZNUP2107LT3G