SZMMSZ5256BT1G 时间：2025/8/28 12:49:01 阅读：6

SZMMSZ5256BT1G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极型晶体管（BJT）阵列器件。该器件集成了两个独立的NPN晶体管在一个小型SOT-23封装中，适合需要高密度布局和简化PCB设计的应用。这款晶体管具有较高的电流增益和良好的频率响应，适用于模拟和数字电路中的开关和放大功能。SZMMSZ5256BT1G在工业自动化、消费电子、通信设备和电源管理系统中被广泛使用。

参数

类型：双极型晶体管阵列
　　晶体管数量：2个NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110 - 800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23

特性

SZMMSZ5256BT1G的主要特性在于其集成化设计，两个NPN晶体管共享相同的封装，这不仅节省了PCB空间，还降低了整体成本。每个晶体管都具有良好的线性度和稳定的工作性能，适用于各种通用放大和开关应用。该器件具有较高的过渡频率（fT）达到100MHz，适合中高频的模拟和数字电路使用。此外，SZMMSZ5256BT1G的电流增益范围较宽，可以在不同的工作条件下提供灵活的设计选择。其低饱和电压和快速开关特性也使其在高频开关电路中表现出色。
　　该晶体管的SOT-23封装形式便于表面贴装，适合自动化生产和小型化设备设计。SZMMSZ5256BT1G的工作温度范围广泛，通常在-55°C至150°C之间，适合工业级和消费类电子产品的应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品的设计。

应用

SZMMSZ5256BT1G被广泛应用于多种电子系统中，例如在信号放大电路中作为前置放大器或缓冲器。它也常用于数字逻辑电路中的电平转换和驱动电路，以及在电源管理电路中作为低功耗开关元件。此外，该器件在通信设备中的射频（RF）放大和混频电路中也有应用，尤其是在低噪声放大器设计中表现出色。在消费电子产品中，SZMMSZ5256BT1G可用于音频放大器、传感器接口电路和LED驱动电路。工业自动化设备中，该晶体管常用于控制继电器、电机驱动和信号调理模块。
　　由于其紧凑的封装和双晶体管集成设计，SZMMSZ5256BT1G在便携式设备、可穿戴电子产品和物联网（IoT）设备中也非常受欢迎。它还适用于需要冗余设计的系统，例如备份电源控制或冗余信号路径切换电路。