SZMM3Z8V2T1GX是一种表面贴装的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和保护电路中的功能。该器件由ONSEMI(安森美半导体)制造,适用于需要稳定电压的电子电路中。SZMM3Z8V2T1GX采用SOD-323封装,具有较小的体积和良好的热性能,适合用于空间受限的应用。齐纳二极管工作在反向击穿区域,能够提供一个稳定的参考电压,因此被广泛用于电源、电压参考、保护电路以及信号调节电路中。
类型:齐纳二极管
封装类型:SOD-323
最大耗散功率:300 mW
标称齐纳电压:8.2 V
齐纳电压容差:±5%
最大齐纳电流:100 mA
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
SZMM3Z8V2T1GX齐纳二极管具有多项优良特性,使其在电压调节和保护电路中表现优异。首先,其标称齐纳电压为8.2V,电压容差为±5%,能够提供较为精确的电压参考,确保电路的稳定性。该器件的最大耗散功率为300mW,能够在较高的功率条件下工作,适用于多种电源管理应用。SZMM3Z8V2T1GX的最大齐纳电流为100mA,能够承受较大的电流波动,从而保护电路免受过电压的影响。
该齐纳二极管采用SOD-323封装,体积小,适合表面贴装技术(SMT)生产,提高了生产效率并节省了电路板空间。这种封装还具有良好的热稳定性,确保了器件在高温环境下的可靠运行。SZMM3Z8V2T1GX的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于广泛的工业和消费类电子产品。
此外,SZMM3Z8V2T1GX具备良好的动态阻抗特性,能够在负载变化时保持稳定的输出电压。这使其成为电压调节器、电源供应器、信号调节电路以及过压保护电路的理想选择。由于其优异的稳定性和可靠性,该器件广泛应用于通信设备、计算机、工业控制系统以及汽车电子系统中。
SZMM3Z8V2T1GX齐纳二极管广泛应用于多个电子领域。首先,在电源管理电路中,它用于提供稳定的参考电压,确保电源输出的稳定性。其次,在电压调节器中,SZMM3Z8V2T1GX用于保持输出电压在设定范围内,适用于电池供电设备和直流电源系统。此外,该器件还可用于过压保护电路,防止瞬态电压或过电压损坏敏感的电子元件,常用于通信设备和工业控制系统中。
SZMM3Z8V2T1GX还可用于信号调节电路,例如在运算放大器的参考电压设置中,以确保信号处理的准确性。在汽车电子系统中,该器件可用于稳定车载电源电压,为各种传感器和控制模块提供可靠的参考电压。此外,它也可用于消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中,以提高系统的稳定性和可靠性。
MM3Z8V2T1, SZMM3Z8V2BHTAWG