类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：200A
　　漏源击穿电压（Vds）：60V
　　栅源击穿电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.7mΩ（在Vgs=10V时）
　　最大功耗（Pd）：300W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（具体取决于制造商）

SZB200A的主要特性包括其极低的导通电阻，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。由于其低Rds(on)，该器件在大电流应用中表现出色，能够承受高负载而不产生过多的热量。此外，SZB200A具有较高的耐压能力，漏源电压可达到60V，使其适用于多种高电压操作环境。该器件还具备良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高温条件下保持稳定运行。
　　另一个显著特点是其快速开关能力，这使得SZB200A非常适合用于高频开关电路。栅极电荷（Qg）较低，减少了开关损耗，并允许更快的开关速度，从而提高了电源转换效率。SZB200A还具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护，防止器件损坏。
　　该器件的封装设计也考虑到了散热需求，TO-220或TO-263封装形式提供了良好的散热性能，确保在高电流和高功率条件下仍能保持稳定的工作温度。这种设计不仅提高了器件的可靠性，还延长了其使用寿命。

SZB200A广泛应用于各种电力电子系统中，特别是在需要高电流和高电压处理能力的场合。例如，它常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、同步整流器、电池充电器和放电器、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，SZB200A还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动车辆的动力系统以及各种车载电源管理装置。
　　在太阳能逆变器和储能系统中，SZB200A也被用作关键的功率开关元件，用于高效地将直流电转换为交流电或将电能存储到电池中。由于其高可靠性和优异的热性能，该器件在这些高要求的应用中表现出色，能够确保系统的长期稳定运行。

IRF1405, STP200N3LL, FDP200N6S4B