SZA18A 时间：2025/8/14 1:31:19 阅读：15

SZA18A是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能、低导通电阻和高可靠性应用的电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，使其在导通状态下的电压降极低，从而减少功率损耗并提高系统效率。SZA18A通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.2mΩ（在VGS=10V）
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

SZA18A具备出色的导通性能和热稳定性，其低导通电阻确保在高电流应用中减少能量损耗，提高整体效率。该器件采用了先进的沟槽式结构，优化了导通特性和开关速度，同时在高温环境下保持良好的稳定性。SZA18A的封装形式为PowerFLAT 5x6，具备良好的散热性能，适合在高密度PCB设计中使用。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，可在高应力条件下保持稳定工作。
　　由于其优异的热管理和导通性能，SZA18A适用于各种高功率密度设计，如电源转换器、负载开关和电机控制电路。其高耐压能力和大电流承载能力使其成为汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中的理想选择。此外，该器件还具备出色的抗过热和过载能力，有助于提高系统的整体可靠性和使用寿命。

应用

SZA18A主要用于高功率密度的电源管理系统，包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统以及汽车电子和工业控制设备。它在高性能电源设计中表现出色，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET还可用于高电流应用，如服务器电源、UPS（不间断电源）、电动车控制器和高效能电源适配器。其优异的热管理能力和封装散热设计使其在紧凑型电路中表现出色，满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。