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SZ1SMB7.5AT3G 发布时间 时间:2025/12/26 23:56:22 查看 阅读:11

SZ1SMB7.5AT3G是一款由onsemi(安森美)生产的齐纳二极管,属于SMB(DO-214AA)表面贴装封装系列。该器件主要用于电压箝位、过压保护以及电压参考等应用场合。其标称齐纳电压为7.5V,容差范围通常为±5%,能够在高密度印刷电路板设计中提供紧凑而高效的解决方案。SZ1SMB7.5AT3G采用先进的玻璃钝化工艺制造,具有优异的稳定性和可靠性,适用于多种工业、消费类及汽车电子系统。该器件在正常工作条件下可提供稳定的反向击穿电压,并在瞬态过压事件中迅速响应,将电压限制在安全范围内,从而保护后续电路不受损害。此外,该型号符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适合现代绿色电子产品制造需求。由于其良好的热性能和较高的功率耗散能力(额定功率约为1W),SZ1SMB7.5AT3G能够在较宽的环境温度范围内稳定运行,是电源管理、接口保护和信号调理电路中的理想选择之一。

参数

类型:齐纳二极管
  封装/外壳:SMB(DO-214AA)
  齐纳电压(Vz):7.5V @ 29mA
  容差:±5%
  最大功率耗散:1W
  最大正向电流(If):200mA
  反向漏电流(Ir):5μA @ 1V
  工作结温范围:-65°C ~ +175°C
  安装类型:表面贴装
  引脚数:2

特性

SZ1SMB7.5AT3G具备出色的电压调节能力和快速响应特性,能够在反向击穿区域稳定工作而不发生永久性损坏。其核心特性之一是精确的齐纳电压控制,在29mA的测试电流下维持7.5V的标称值,且偏差不超过±5%,确保了在精密电压参考应用中的准确性。该器件采用低ESR(等效串联电阻)设计,有助于减少动态负载下的电压波动,提高系统的稳定性。其SMB封装形式不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,能够在1W的功率下有效传导热量,避免因局部过热导致性能下降或失效。
  该齐纳二极管经过优化设计,可在高达+175°C的结温下持续运行,展现出卓越的高温可靠性,适用于恶劣环境下的工业控制系统和车载电子设备。同时,其低温下限达-65°C,保证了在极寒条件下的正常功能。器件内部采用玻璃钝化技术对PN结进行保护,显著提升了抗湿气侵蚀和长期老化能力,延长了使用寿命。此外,该产品通过AEC-Q101车规级认证,可用于汽车电子中的浪涌抑制和稳压电路,满足严苛的质量与可靠性要求。
  SZ1SMB7.5AT3G还具备较低的动态阻抗(Zzt),这意味着在负载电流变化时输出电压波动小,进一步增强了其作为参考源的适用性。其反向漏电流在低偏置电压下极小(典型值5μA @ 1V),有助于降低待机功耗,提升能效表现。该器件在ESD防护方面也表现出色,能够承受一定程度的人体模型静电放电冲击,增强了装配过程中的鲁棒性。总体而言,SZ1SMB7.5AT3G以其高精度、高可靠性和广泛的工作范围,成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

应用

SZ1SMB7.5AT3G广泛应用于需要电压箝位和过压保护的各类电子系统中。常见用途包括开关电源中的反馈回路电压参考,用于稳定输出电压;在DC-DC转换器中作为辅助稳压元件,确保控制芯片获得稳定的供电电压。该器件也常被用于通信接口的ESD和浪涌保护,例如USB、RS-232、CAN总线等信号线上,防止外部瞬态高压损坏敏感集成电路。
  在汽车电子领域,它可用于车身控制模块、传感器供电调节、LED照明驱动电路中的电压限制,保障系统在电池电压波动或负载突降(load dump)情况下仍能安全运行。工业自动化设备中的PLC输入模块、模拟信号调理电路也常采用此类齐纳二极管进行电平钳位和噪声抑制。
  此外,SZ1SMB7.5AT3G还可用于电池管理系统(BMS)中的单节或多节锂电池电压监测与保护,防止充电过压导致的安全隐患。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器中,该器件为MCU、传感器和其他低压逻辑电路提供可靠的电压基准和瞬态保护。其小型化封装特别适合高密度贴片组装工艺,适用于自动化SMT生产线,提升了制造效率和产品一致性。

替代型号

[
   "P6KE7.5A",
   "BZX84-C7V5",
   "MMBZ5231B",
   "1N5231B",
   "SOD80C7.5"
  ]

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SZ1SMB7.5AT3G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)7.5V
  • 电压 - 击穿8.33V
  • 功率(瓦特)600W
  • 电极标记单向
  • 安装类型*
  • 封装/外壳*
  • 供应商设备封装*
  • 包装*