时间：2025/12/26 23:47:08
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SZ1SMB13AT3G是一种由ONSEMI（安森美）公司生产的单向瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于电路中的静电放电（ESD）保护和瞬态过压保护。该器件采用SMB（DO-214AA）封装，具有较小的封装尺寸，适合在空间受限的应用中使用。SZ1SMB13AT3G的击穿电压为14.4V，钳位电压为22.6V，能够承受峰值脉冲功率高达600W（10/1000μs波形），具备较强的瞬态能量吸收能力。该TVS二极管响应时间极快，通常在皮秒级别，能够在瞬态过压事件发生的瞬间迅速导通，将过电压引导至地，从而保护下游敏感电子元件。由于其单向结构，该器件适用于直流电路中的正向电压保护，例如电源线、I/O接口、数据线等应用场景。SZ1SMB13AT3G符合RoHS和无铅环保要求，并通过了AEC-Q101汽车级认证，因此不仅适用于工业和消费类电子产品，也广泛应用于汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、传感器模块和车身控制单元等。该器件具有高可靠性、长寿命和稳定的电气性能，是现代电子设备中常见的保护元件之一。
类型：单向TVS二极管
封装：SMB（DO-214AA）
反向关断电压（VRWM）：13V
击穿电压（VBR）：最小14.4V，最大15.9V
钳位电压（VC）：22.6V（在IPP=3.54A时）
峰值脉冲电流（IPP）：3.54A
峰值脉冲功率（PPPM）：600W（10/1000μs）
漏电流（IR）：最大1μA
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
安装方式：表面贴装（SMD）
引脚数：2
SZ1SMB13AT3G的核心特性在于其卓越的瞬态电压抑制能力与快速响应机制。该TVS二极管采用半导体PN结结构，在正常工作电压下呈现高阻态，几乎不消耗系统电流，不会对原电路造成干扰。当线路中出现瞬态过压（如雷击感应、开关噪声或人体静电放电）且电压超过其击穿阈值（约14.4V）时，器件会在极短时间内（通常小于1纳秒）从高阻态切换至低阻态，形成低阻抗通路，将瞬态大电流导向地线，从而有效限制电压上升幅度，保护后级集成电路（IC）免受损坏。这种快速响应能力使其特别适用于高速信号线和精密电源系统的保护。
该器件的钳位电压仅为22.6V，在600W脉冲功率下仍能保持较低的能量释放水平，有助于降低热应力并提升系统整体可靠性。此外，其漏电流极低（≤1μA），在待机或低功耗模式下不会增加额外功耗，适用于电池供电设备。SMB封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，同时支持自动化贴片生产，提高制造效率。产品通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感度等方面均满足汽车级应用的严苛要求，可在恶劣环境下长期稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）进一步增强了环境适应性。另外，该器件具有良好的一致性与重复性，每次瞬态事件后的恢复特性稳定，不会因多次触发而显著退化，确保长期使用的安全性与可靠性。
SZ1SMB13AT3G广泛应用于需要瞬态过压防护的各种电子系统中。在消费类电子产品中，常用于手机、平板电脑、笔记本电脑的USB接口、充电端口和显示屏驱动电路的ESD保护。在工业控制领域，可用于PLC输入输出模块、传感器信号线、通信接口（如RS-232、RS-485）的浪涌抑制。由于其具备汽车级认证，该器件被大量应用于车载电子设备，例如车载导航系统、倒车雷达、摄像头模块、ECU供电线路以及车灯控制单元中，防止因负载突降（Load Dump）或静电放电导致的元器件损坏。此外，在电源适配器、DC-DC转换器、智能电表和安防监控设备中，SZ1SMB13AT3G也被用作初级保护元件，防止外部瞬态干扰侵入核心电路。其单向结构特别适合于直流电源正极与地之间的保护配置，确保在电源反接或负向电压情况下不会误动作。随着电子设备对可靠性和安全性的要求不断提高，此类TVS二极管已成为现代电路设计中不可或缺的保护组件。
SMC13A-TR
1N6398A
P6KE13A
