时间：2025/12/26 22:31:59
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SZ1SMA54AT3G是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），专为保护敏感电子电路免受瞬态电压事件（如静电放电ESD、电感负载切换、雷击感应等）造成的损害而设计。该器件采用SMA（DO-214AC）封装，具有紧凑的尺寸和高效的散热性能，适合在空间受限的应用中使用。SZ1SMA54AT3G属于单向TVS二极管，意味着其工作特性类似于一个仅在一个方向上导通的齐纳二极管，在正常工作电压下呈现高阻抗状态，当瞬态过电压超过其击穿电压时，迅速变为低阻抗状态，将过电流引导至地，从而钳位电压并保护下游电路。该器件的命名遵循标准逻辑：'SZ'代表安森美的保护器件系列，'1SMA'表示SMA封装的单二极管，'54A'表示其标称击穿电压为28.9V（依据型号推算），'T3G'表示无铅、符合RoHS标准的卷带包装。由于其快速响应时间（通常在皮秒级）和高脉冲功率处理能力，SZ1SMA54AT3G广泛应用于各类工业、消费类和通信设备的电源线与信号线保护中。该TVS二极管的设计注重可靠性与稳定性，能够在恶劣电磁环境中提供持久的保护性能。
类型：单向TVS二极管
封装：SMA（DO-214AC）
反向待机电压（VRWM）：26V
击穿电压（VBR）：最小28.9V，典型值约28.9V，最大30.5V
钳位电压（VC）：45.4V（在IPP = 7.05A条件下）
峰值脉冲电流（IPP）：7.05A
峰值脉冲功率（PPPM）：320W（8/20μs浪涌波形）
漏电流（IR）：最大5μA（在VRWM = 26V时）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
极性：单向
SZ1SMA54AT3G具备卓越的瞬态电压抑制能力，其核心特性之一是极快的响应时间，通常在皮秒量级，使其能够在瞬态过压事件发生的瞬间立即导通，有效防止电压尖峰传递至后级敏感元件。这一特性对于保护现代高速数字电路和精密模拟电路至关重要，尤其是在面对静电放电（ESD）这类上升时间极短的干扰时表现尤为突出。该器件的钳位性能优异，在承受高达320W的峰值脉冲功率时，其钳位电压被限制在45.4V以下，确保了即使在严重瞬态事件下，被保护电路所承受的电压仍处于安全范围内。这种高效的能量吸收能力得益于其内部PN结结构的优化设计和良好的热管理性能。SMA封装不仅提供了足够的机械强度和焊接可靠性，还具备优良的散热路径，有助于在多次瞬态冲击后快速恢复，延长器件寿命。
SZ1SMA54AT3G的电气参数具有高度一致性，击穿电压范围控制严格（28.9V至30.5V），确保了产品批次间的稳定性和可预测性，便于系统设计中的裕量规划。其低漏电流特性（最大5μA）在正常工作条件下几乎不影响电路功耗，特别适用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。此外，该器件符合RoHS指令且无卤素，体现了环保设计理念。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够在极端环境条件下可靠运行，包括高温工业环境和低温户外设备。安森美作为知名半导体制造商，保证了SZ1SMA54AT3G的高质量制造工艺和长期供货能力，使其成为工业自动化、汽车电子外围、通信接口等关键应用中的理想选择。
SZ1SMA54AT3G广泛用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中。在工业控制领域，它常被部署于PLC输入/输出端口、传感器接口和电机驱动电路中，用于抑制因继电器开关或接触器断开产生的感性反电动势。在电源管理系统中，该TVS可用于直流电源输入端，防止外部电源波动或雷击感应引起的浪涌损坏电源模块。在通信设备中，SZ1SMA54AT3G适用于保护RS-232、RS-485、CAN总线等接口电路，抵御来自长距离传输线引入的电磁干扰和瞬态过压。消费类电子产品，如智能家居设备、机顶盒和安防监控摄像头，也常采用此类TVS二极管来增强系统的电磁兼容性（EMC）和整体可靠性。此外，在汽车电子应用中，尽管其非AEC-Q101认证，但仍可用于部分车载信息娱乐系统或辅助电源电路的次级保护。由于其SMA封装易于自动化贴装，适合大规模生产，因此在需要高可靠性和小尺寸保护方案的设计中备受青睐。无论是用于初级浪涌保护还是作为多级保护体系中的第二级钳位器件，SZ1SMA54AT3G都能提供稳定有效的防护。
SMCJ26A
