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SZ1SMA36AT3G 发布时间 时间:2025/12/26 22:25:27 查看 阅读:11

SZ1SMA36AT3G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装硅齐纳二极管,属于1SMA系列封装类型,采用SMA(DO-214AC)封装。该器件设计用于提供稳定的参考电压以及在电路中实现电压钳位和过压保护功能。齐纳二极管的核心工作原理是利用其反向击穿特性,在达到特定的齐纳电压时允许电流流过并维持一个相对恒定的电压水平,从而为敏感电子元件提供保护或作为电压基准使用。SZ1SMA36AT3G的标称齐纳电压为36V,适用于需要较高稳定电压参考的应用场景。
  SZ1SMA36AT3G具有良好的热稳定性和长期可靠性,能够在较宽的温度范围内保持性能一致性。其SMA封装形式支持自动化贴片生产,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及电源管理系统中。此外,该器件符合RoHS环保要求,并具备无卤素(Halogen-free)特性,满足现代电子产品对环保与安全性的严格标准。

参数

类型:齐纳二极管
  极性:单路齐纳
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)
  标称齐纳电压:36V
  容差:±5%
  功率耗散:1W
  最大齐纳阻抗:70Ω
  测试电流:1.0mA
  最大反向漏电流:1μA
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

SZ1SMA36AT3G的电气特性经过优化,能够在高电压环境下提供精确且稳定的电压调节能力。其标称齐纳电压为36V,在1mA的测试电流下能够保持±5%的电压容差,确保输出电压的精度和可重复性。该器件的低动态阻抗(最大70Ω)意味着在负载变化时电压波动较小,提升了系统稳定性。同时,其反向漏电流极低,在额定电压下典型值仅为1μA,有助于降低待机功耗,提高能效表现,特别适用于对功耗敏感的电池供电或节能型设备。
  该齐纳二极管具备1W的功率耗散能力,结合SMA封装良好的热传导性能,可在有限空间内有效散热,适用于持续导通或瞬态过压保护场景。其工作结温范围从-55°C到+150°C,使其能在极端高低温环境中可靠运行,适用于工业级和汽车级应用环境。器件结构采用玻璃钝化工艺,增强了表面稳定性和抗湿性,提高了长期使用的可靠性。此外,该产品通过AEC-Q101车规认证,表明其在机械强度、温度循环、湿度耐受等方面均满足汽车电子严苛的应用要求。
  SZ1SMA36AT3G还具备出色的瞬态响应能力,能快速响应电压突变,有效抑制浪涌电压对后续电路的影响。其封装形式SMA(DO-214AC)为小型化表面贴装设计,占用PCB面积小,便于自动化贴装,提升生产效率。引脚材料为无铅镀层,兼容无铅焊接工艺,符合现代绿色制造趋势。整体设计兼顾高性能、高可靠性与环保合规性,是高电压稳压与保护应用中的理想选择。

应用

SZ1SMA36AT36AT3G主要用于需要36V稳定参考电压或过压保护的电路中。常见应用包括开关电源(SMPS)中的反馈回路电压基准,用于调节输出电压的稳定性;在DC-DC转换器中作为辅助稳压元件,防止输出电压漂移。该器件也广泛用于工业控制系统中的信号调理电路,为传感器或运算放大器提供精准的偏置电压。
  在通信设备中,SZ1SMA36AT3G可用于保护敏感的射频前端模块免受静电放电(ESD)或雷击感应电压的损害,起到箝位作用。其高击穿电压特性使其适用于电话线路、网络接口等可能存在高压瞬变的场合。此外,在汽车电子系统中,如车身控制模块、车载充电器或LED照明驱动电路中,该齐纳二极管可用于电源轨保护,防止因负载突降(Load Dump)产生的高压损坏下游IC。
  该器件还可用于电池管理系统(BMS)中,作为电压监测节点的参考源或保护元件。在测试测量仪器中,它可作为校准电路的一部分,提供长期稳定的电压基准。由于其具备AEC-Q101认证,因此特别适合部署于严苛环境下的车载和工业设备中。总体而言,SZ1SMA36AT3G凭借其高精度、高可靠性和紧凑封装,适用于多种需要高电压稳压与保护功能的电子系统。

替代型号

[
   "P6KE36A",
   "1N4756A",
   "MMSZ5249B",
   "BZX84-C36",
   "SMBJ36A"
  ]

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SZ1SMA36AT3G参数

  • 标准包装5,000
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)36V
  • 电压 - 击穿40V
  • 功率(瓦特)400W
  • 电极标记单向
  • 安装类型*
  • 封装/外壳*
  • 供应商设备封装*
  • 包装*