工作电压范围：1.65V 至 5.5V
　　静态电流：最大 1μA（典型值更低）
　　传播延迟时间：典型 5ns（在3.3V供电下）
　　上升/下降时间：约 3ns（负载为50pF时）
　　输入电压阈值：支持TTL和CMOS兼容电平
　　迟滞电压：典型 150mV（随电源电压变化）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输出驱动能力：±24mA 拉电流/灌电流（在5V条件下）
　　封装类型：SOT23-5, SC-70-5
　　逻辑功能：单路反相器
　　输入数量：1
　　输出数量：1

SZ105G的核心特性之一是其施密特触发器输入结构，这种设计赋予了器件显著的噪声抑制能力。在实际应用中，当输入信号受到电磁干扰或存在缓慢上升/下降沿时，普通逻辑门可能会因多次穿越阈值电压而产生输出振荡，导致系统误操作。而SZ105G通过引入正反馈机制，在输入端形成两个不同的切换阈值——一个用于上升沿（Vt+），另一个用于下降沿（Vt-）。这两个阈值之间的差值即为迟滞电压（通常约为150mV），它确保了只有当输入信号变化超过这一区间时才会触发状态翻转，从而有效滤除叠加在信号上的小幅值噪声。
　　该器件采用高性能CMOS技术制造，能够在宽电源电压范围内（1.65V至5.5V）稳定工作，这使得SZ105G非常适合于多电压系统中的电平转换和接口调理。例如，在电池供电设备中，随着电量消耗，电源电压会逐渐下降，而SZ105G仍能在此过程中保持正常逻辑功能，不会出现误触发或性能劣化。同时，其极低的静态电流（最大仅1μA）大大延长了电池寿命，特别适用于物联网节点、无线传感器和可穿戴设备等对功耗敏感的应用场景。
　　SZ105G还具备出色的传输速度，典型传播延迟仅为5ns，这意味着它可以处理高达数十兆赫兹的信号频率，满足大多数中高速数字系统的时序要求。快速的边沿响应能力使其可用于精确的脉冲整形、时钟同步和数据采样前的信号净化。此外，其输出级设计提供了较强的驱动能力，在5V电源下可提供±24mA的拉灌电流，足以直接驱动多个下游逻辑门或长走线带来的容性负载，简化了电路设计复杂度。
　　为了适应现代电子产品小型化趋势，SZ105G采用SOT23-5和SC-70-5等微型封装，占用PCB面积极小，适合高密度布局。这些封装均符合RoHS环保标准，并支持自动化贴片生产。器件的工作温度范围覆盖-40°C至+125°C，确保其在恶劣工业环境或高温运行条件下依然可靠运行。总体而言，SZ105G凭借其集成的施密特触发功能、宽电压适应性、低功耗和高速性能，成为信号调理和噪声抑制应用中的理想选择。

SZ105G广泛应用于需要信号整形和噪声抑制的各种电子系统中。在微控制器单元（MCU）或现场可编程门阵列（FPGA）的输入接口中，常用于清理来自机械开关、按钮或继电器的抖动信号，实现按键去抖功能，避免因接触弹跳引起的多次误触发。由于其施密特输入特性，该器件能有效识别缓慢变化的模拟信号并将其转换为清晰的数字脉冲，因此也常用于传感器信号调理，如温度、光强或位置传感器的输出整形。
　　在时钟分配网络中，SZ105G可用于对来自晶体振荡器或外部时钟源的信号进行再整形，消除传输过程中的失真和噪声，提高时钟边沿的陡峭度，从而增强系统的时序稳定性。此外，它还可作为简单的电平转换器，用于连接不同电压域的逻辑电路，例如将3.3V系统的信号传送到5V系统，或反之，实现跨电压平台的数据通信。
　　在便携式和低功耗设备中，如智能家居终端、医疗监测仪和无线遥控器，SZ105G因其超低静态功耗而被广泛采用，有助于延长电池使用时间。工业控制领域中，该器件用于PLC模块、继电器驱动电路和远程I/O单元中，提升系统在电磁干扰环境下的可靠性。汽车电子中，虽然不直接用于安全关键系统，但在车身控制模块、车载信息娱乐系统的辅助逻辑电路中也有应用。总之，任何需要将不稳定或噪声污染的输入信号转换为干净、可靠的数字输出的场合，都是SZ105G的适用领域。

SN74LVC1G14DBVR
　　NXP 74LVC1G14GV,125
　　ON Semiconductor NSR05G14HT1G
　　Toshiba TC7S14FX