时间：2025/7/10 17:50:26
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SYT01N03DWC 是一款基于硅基技术的 N 沣 MOSFET，专为低电压、高效能应用设计。其优化的导通电阻和开关性能使其成为电源管理、电机驱动和消费电子等领域的理想选择。该器件采用了先进的制程工艺，具有出色的热性能和可靠性。
该芯片主要应用于需要高效率和小尺寸解决方案的场景，例如便携式设备、适配器、充电器以及工业控制等领域。
型号：SYT01N03DWC
类型：N 沆 MOSFET
VDS（漏源极电压）：30V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.8mΩ
ID（连续漏极电流）：90A
Qg（栅极电荷）：24nC
Eoss（输出电容能量损耗）：50nJ
VGS(th)（阈值电压）：2V~4V
封装形式：TO-263 (D2PAK)
工作温度范围：-55℃~175℃
SYT01N03DWC 具有非常低的导通电阻 RDS(on)，这显著减少了传导损耗，从而提升了整体系统效率。
它还具备较高的雪崩耐量能力，可以有效应对电路中的瞬态过压情况，增强系统的稳定性。
另外，这款 MOSFET 的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗并提高高频下的工作效率。
其紧凑的封装形式也使得它在空间受限的应用中表现优异，同时具备良好的散热性能。
该元器件广泛用于直流-直流转换器、电池管理系统、电机驱动控制器、LED 驱动器以及各种功率转换模块。
在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、智能手机快速充电器等，SYT01N03DWC 提供了高效的功率传输解决方案。
此外，它还可应用于工业领域中的逆变器、不间断电源 (UPS) 和太阳能微逆变器等设备。
IRLZ44N
FDP5570
AON7902
