容量：8Gb
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　封装：FBGA
　　数据速率：4266Mbps
　　电压：1.1V（VDD）/ 1.0V（VDDQ）
　　组织结构：x16
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　工作频率：2133MHz
　　封装尺寸：10mm x 12mm
　　封装引脚数：186-ball

SXE80VB56RM8X20LL 具有出色的性能和节能特性，适合高带宽需求的应用。其工作频率高达2133MHz，数据传输速率达到4266Mbps，使得该内存芯片能够满足高端移动设备和嵌入式系统的性能需求。电压方面采用双电源设计，分别为1.1V和1.0V，有效降低了功耗，提高了能效。
　　该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电功率下降模式，从而在不牺牲性能的前提下延长设备的电池寿命。此外，SXE80VB56RM8X20LL 还支持伪开漏（POD）接口，提供更好的信号完整性，减少噪声干扰，提升系统稳定性。
　　该内存芯片的封装形式为186-ball FBGA（精细球栅阵列），尺寸为10mm x 12mm，适合在空间受限的设备中使用。其支持的温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和消费级应用，具备良好的环境适应性。

SXE80VB56RM8X20LL 主要用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统、高性能计算模块（如AI加速器、图形处理单元）以及需要高带宽和低功耗内存的便携式电子设备。由于其高速传输能力和低功耗设计，该芯片也非常适合用于图像处理、视频编码解码、实时数据处理等高性能需求的应用场景。

SXE80VB56RM8X20LL 的替代型号包括：SXE80WB56RM8X20LL（容量相同但部分电气参数略有不同）、MT53E8GELLBB4-046A（美光科技出品的类似规格LPDDR4内存芯片）、以及K3UH5H5WAM-AGCL（三星另一款兼容型号）。