时间：2025/9/10 2:55:27
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SXE80VB27RM6X15LL 是一款由 Micron Technology 制造的 DRAM（动态随机存取存储器）模块，专为高性能计算和工业应用设计。该模块提供高速数据存取能力和稳定的运行性能，适用于需要大量内存支持的设备和系统。
类型：DRAM内存模块
容量：8GB
频率：2400MHz
电压：1.2V
内存规格：DDR4
模块类型：RDIMM（Registered DIMM）
工作温度：0°C 至 85°C
尺寸：标准288针脚DIMM尺寸
SXE80VB27RM6X15LL 是一款高性能的 DDR4 RDIMM 模块，具有8GB的存储容量和2400MHz的工作频率，能够在高负载环境下保持稳定的数据传输速率。该模块采用了注册缓冲器（Registered Buffer），有效减少了内存控制器的电气负载，从而提升了系统稳定性和可扩展性。此外，其1.2V低电压设计不仅降低了功耗，还减少了热量产生，非常适合长时间运行的服务器和工作站应用。
这款内存模块的工作温度范围为0°C至85°C，具备良好的热稳定性，适用于各种严苛的工业环境。Micron作为全球领先的存储解决方案供应商，确保了该模块在制造工艺和材料选择上的高品质标准，使其在长期使用中仍能保持可靠性能。
SXE80VB27RM6X15LL 主要用于服务器、工作站、高性能计算系统以及需要大容量内存支持的工业设备。其高稳定性和扩展性使其成为数据中心、虚拟化平台、数据库服务器和复杂仿真系统等应用场景的理想选择。
SXE80VB27RM6X15LL 的替代型号包括：M393A1G43AB1-CRC（三星）、HMA81GU6CJR8N-WM（SK Hynix）、MTA8GTF2400C16G1BB-1G（Micron）。
