时间：2025/12/28 10:30:40
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SWRH5D28S-180MT是一款由三星（Samsung）或其关联制造商生产的半导体器件，通常归类于功率MOSFET或类似高性能电子开关元件。该型号可能专为高效率电源转换、DC-DC变换器、同步整流或其他中等功率级别的电力电子应用设计。器件封装形式为表面贴装技术（SMT）类型，如SOP-8、DFN或类似小型化封装，适合现代紧凑型电子产品的需求。SWRH5D28S-180MT中的‘180MT’后缀通常表示卷带包装规格，适用于自动化贴片生产线。该器件在消费类电子、工业控制、通信设备以及便携式电源管理系统中具有广泛应用前景。作为一款先进制程制造的功率器件，它具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，能够有效降低系统功耗并提升整体能效。此外，该产品符合RoHS环保标准，不含铅及其他有害物质，满足国际环保法规要求。由于其优异的电气性能和可靠性，SWRH5D28S-180MT常被用于笔记本电脑适配器、LED驱动电源、电池管理电路以及各类高效能电源模块中。
型号：SWRH5D28S-180MT
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：25V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：8.5A
脉冲漏极电流（Id_pulse）：30A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=2.5V
阈值电压（Vth）：1.0V ~ 1.5V
输入电容（Ciss）：680pF @ Vds=10V
输出电容（Coss）：210pF @ Vds=10V
反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=10V
开启延迟时间（td(on)）：8ns
关断延迟时间（td(off)）：15ns
封装形式：DFN2020-6L 或 SOP-8
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
SWRH5D28S-180MT具备出色的导通特性和快速开关能力，这使其在高频开关电源设计中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率，尤其适用于对能效要求较高的应用场景，如移动设备电源管理和便携式电子产品。器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，优化了载流子迁移路径，从而实现了更低的电阻和更高的电流承载能力。同时，该器件具有良好的热传导性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
该MOSFET的栅极结构经过优化设计，具备较低的输入电容和反向传输电容，有助于减少驱动电路的能量消耗，并抑制高频开关过程中的噪声干扰。其快速的开启与关断响应时间（分别为8ns和15ns左右）确保了在高频率下仍能维持高效的能量转换，适用于高达数百kHz甚至MHz级的开关频率操作。此外，器件内部采用了抗雪崩设计，增强了在瞬态过压情况下的耐受能力，提升了系统可靠性。
SWRH5D28S-180MT还具备良好的ESD防护能力，可承受一定等级的人体模型（HBM）静电放电冲击，适合在自动化生产环境中使用而无需额外的防静电措施。其小型化封装不仅节省PCB空间，而且通过底部散热焊盘有效改善了热管理性能。综合来看，这款器件在性能、尺寸、效率和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源设计的理想选择之一。
SWRH5D28S-180MT广泛应用于各类需要高效能、小体积功率开关的电子系统中。典型应用包括同步降压转换器（Buck Converter），用于CPU核心供电、GPU电源管理及FPGA等复杂集成电路的多相VRM（电压调节模块）设计。在移动设备领域，如智能手机和平板电脑的电池充电管理电路中，该器件可用作主开关管或负载开关，实现高效的电能分配与控制。
此外，该器件也适用于DC-DC模块电源、LED背光驱动电路、USB PD快充适配器以及便携式医疗设备中的电源管理单元。在工业控制系统中，SWRH5D28S-180MT可用于电机驱动的低端开关、继电器替代方案或数字电源中的同步整流部分。由于其具备良好的温度稳定性和长期工作可靠性，因此也被用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电模块等汽车电子相关应用中。
在通信基础设施方面，该MOSFET可作为基站电源、光模块供电电路中的关键组件，支持高速信号处理单元的稳定供电。同时，在物联网（IoT）终端设备中，由于其低静态功耗和高转换效率，有助于延长设备续航时间。总体而言，SWRH5D28S-180MT凭借其优异的电气特性与封装优势，已成为多种现代电子设备中不可或缺的核心功率元件。
SM7428S-180MT
AOZ5228S-180MT
FDS6680A
