尺寸：0805 (2.0mm x 1.25mm)
　　电容值：10μF
　　额定电压：6.3V
　　温度特性：X5R (±15%)
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　电容容差：±20%
　　介质材料：Barium Titanate-based (Class II)
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降明显，需参考具体DC bias曲线
　　ESR：低等效串联电阻，典型值在几毫欧至几十毫欧范围（依频率而定）
　　封装形式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层 + 锡镀层（Ni-Sn），适用于回流焊工艺
　　包装方式：卷带编带（Tape and Reel）

SWRH2D09R-100MT 作为一款高性能的多层陶瓷电容器，具备优异的电容密度和稳定性，能够在有限的空间内提供高达 10μF 的电容值，这在 0805 尺寸下属于较高水平。其采用 X5R 类介质材料，能够在 -55°C 到 +85°C 的宽温度范围内保持电容变化率在 ±15% 以内，相较于 Y5V 等类别具有更优的温度稳定性，适合对温漂敏感的应用场景。该器件的结构采用多层叠层技术，内部由数十甚至上百层陶瓷介质与内电极交替堆叠烧结而成，从而实现高电容值与小型化的统一。
　　该电容器的一个显著特点是其直流偏压特性。由于高介电常数陶瓷材料的非线性特性，在施加直流电压时，实际可用电容会显著下降。例如，在额定电压 6.3V 下工作时，其有效电容可能仅为标称值的 50% 左右，因此在电路设计中必须参考制造商提供的 DC bias 曲线进行降额设计。此外，该器件还表现出较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦应用中表现良好，能够有效抑制电源噪声和电压波动。
　　机械和焊接方面，SWRH2D09R-100MT 采用 Ni-Sn 端电极结构，具有良好的可焊性和抗热冲击能力，兼容标准回流焊工艺（包括无铅焊接流程），减少了因热应力导致的裂纹风险。同时，该器件符合 RoHS 指令要求，不含铅、镉等有害物质，适用于绿色环保电子产品制造。尽管其尺寸较小，但在适当的 PCB 布局和焊接控制下，仍能保证长期可靠运行。需要注意的是，由于陶瓷电容的压电效应，该器件在某些情况下可能产生微音效应或噪声，需在音频或高灵敏度模拟电路中谨慎使用。

SWRH2D09R-100MT 多层陶瓷电容器广泛应用于各类需要高电容密度和小型化元件的电子设备中。在移动通信领域，它常用于智能手机、平板电脑和无线模块中的电源管理单元（PMU）去耦，为处理器、射频芯片和传感器提供稳定的局部电源，抑制高频噪声传播。其低 ESR 特性使其成为理想的旁路电容，可在瞬态电流变化时快速响应，维持电压稳定。
　　在消费类电子产品如数码相机、可穿戴设备和智能家居控制器中，该电容器被用于 DC-DC 转换器的输入和输出滤波环节，配合电感构成 LC 滤波网络，有效平滑开关电源产生的纹波电压，提高电源质量。此外，在计算机主板和嵌入式系统中，SWRH2D09R-100MT 也常见于 FPGA、ASIC 和 MCU 的供电引脚附近，执行局部储能和高频去耦功能，防止数字开关噪声干扰敏感电路。
　　工业控制和汽车电子领域虽然对温度和可靠性要求更高，但在非关键的辅助电源或低压逻辑电路中，该器件也可用于成本敏感型设计。需要注意的是，由于其 6.3V 额定电压限制，不适用于高压电源轨，通常用于 3.3V、2.5V 或更低电压系统的去耦。另外，在高振动或机械应力环境中，应避免将该器件布置在 PCB 弯曲易发区域，以防陶瓷体开裂导致短路或失效。总体而言，SWRH2D09R-100MT 是现代高密度电子组装中不可或缺的基础元件之一。